第一，低氚滞留，对氚的高效利用问题。
氚的半衰期短，价格昂贵，聚变堆中的氚都需要循环利用。
第二，抗中子、等离子辐照能力。
每个氘氚聚变都会产生一个14v能量的中子，这些高能中子能轻易击碎第一壁材料中的金属键，产生大量缺陷，引起辐照肿胀、脆化、蠕变等问题，使
《学霸的黑科技时代》第698章 诱人的中等科技
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第一，低氚滞留，对氚的高效利用问题。
氚的半衰期短，价格昂贵，聚变堆中的氚都需要循环利用。
第二，抗中子、等离子辐照能力。
每个氘氚聚变都会产生一个14v能量的中子，这些高能中子能轻易击碎第一壁材料中的金属键，产生大量缺陷，引起辐照肿胀、脆化、蠕变等问题，使
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